КРЕМНИЯ ОКСИД SiO, устойчив в газообразном состоянии (SiO_r) выше 1000°С; для газа: C⁰_p 29,901 Дж/(моль К), DH⁰_обр - 100,000 кДж/моль, S⁰₂₉₆ 211,489 Дж/(моль^.К). При быстром охлаждении SiO конденсируется в аморфный продукт SiO_x-1, (плота. 2,15 г/см³) светло-коричневого цвета, реиспаряющийся в вакууме с послед. конденсацией аморфного SiO_x (0<х[1), св-ва к-рого определяются условиями реиспарения. При старении и отжигах SiO_x распадается на кластеры из Si и SiO₂, содержащие До 10²⁰ см^-3 парамагнитных центров. К. о. не имеет определенных т-р плавления и кипения, DH⁰_исп 240-380 кДж/моль. Оптич. св-ва SiO_x зависят от скорости конденсации, остаточного давления О₂ и др. факторов; коэф. поглощения 0,02 (l=700 нм)-0,20 (l=400 нм); показатель преломления в видимой области 1,5-3,8. Структура SiO_x удовлетворительно описывается моделью случайного распределения тетраэдров Si-Si_yO_4-y (у=1,2,3), статистич. веса к-рых зависят от величины х. При нагр. на воздухе К. о. частично окисляется; при 500 °С взаимод. с парами воды и СО₂, выделяя соотв. Н₂ и СО; при 800 °С реагирует с Сl₂, давая SiCl₄. К. о. образуется при восстановлении SiO₂ кремнием. С, Н₂, углеводородами, окислении Si при недостатке О₂, диссоциации SiO₂ выше 1800°С. Газообразный К. о. обнаружен в газопылевых облаках межзвездных сред, на солнечных пятнах, в разреженных пламенах моносилана с О₂, в продуктах взаимод. паров Si с N₂O. К.о.-материал для изолирующих, защитных, пассивирующих, оптич. слоев в полупроводниковых устройствах, волоконной оптике. Слои наносятся напылением в вакууме, реактивным распылением Si в плазме О₂. Образующийся при термич. окислении Si слой (между Si и пленкой SiO₂) состава SiO_x (0[х[2) толщиной до 1 нм определяет электрофиз. параметры структур SiO₂-Si. Лит.: Гельд П. В., Есин О. А., Процессы высокотемпературного восстановления. Свердловск. 1957; Sosman R. В., The phases of silica. New Brunswick, 1965, p. 7-10; Rockow E.G., The chemistry of silicon, Oxf.-[a.o.], 1975 (Pergamon texts hi inorganic chemistry, v. 9); Finster J, Schulze D, Meisel A, "Surface Science", 1985, v. 162, p. 671-79. В. И. Белый.