ПОЛИТИПИЗМ
(политипия)
(от греч. polys - многочисленный и typos - отпечаток, форма, образец), частный
случай полиморфизма, наблюдается в нек-рых кристаллах со слоистой структурой.
Политипные модификации-политипы построены
из одинаковых слоев или слоистых "пакетов" атомов и различаются
способом и периодичностью наложения таких пакетов или слоев. Так, для SiC найдено
более 40 политипов. Два параметра элементарной ячейки кристалла SiC одинаковы,
третий (с)является переменным, кратен наим. значению этого параметра
(0,2518 нм) и изменяется от ~0,5 нм (двуслойный политип) до 150 нм (594-слойный
политип). П. найден у мн. др. неорг. соединений со слоистой и плотноупакованной
структурой (ZnS, CdI2, PbI2, MoS2, глинистые
минералы и др.).
Структуры политипов близки,
первые координац. сферы у атомов в кристаллах одинаковы. Так, для SiC во всех
политипах сохраняется тетраэдрич. окружение атомов, изменения наблюдаются в
третьей и выше координац. сферах. Все политипы имеют одинаковую плотность, они
не переходят друг в друга. Образование политипов объясняют наличием примесей,
винтовых дислокаций, колебаниями структуры (порядок-беспорядок).
П. открыл в 1912 Г. А.
Баумгауэр на примере SiC.
Лит.: Верма А.,
Кришна П., Полиморфизм и политипизм в кристаллах, пер. с англ., М., 1969. В.
И. Пахомов.