
Как проехать	Контакты	Включить версию сайта для слабовидящих

Библиотека

ЦЭБС АПК

Услуги

[Ввод запроса]

^ШХР: П 32573 2018 21(1)
^АВТ: Bilcik M.; Bozikova M.; Petrovic A.; Malinek M.; Cviklovic V.; Olejar M.; Ardonova V.
^ЗГЛ: Analysis of Selected Photovoltaic Panels Operating Parameters as a Function of Partial Shading and Intensity of Reflected Radiation [Анализ электрической мощности фотоэлектрических модулей в зависимости от степени частичного затенения и интенсивности отраженного излучения. (Словакия)]
^ВЫХ: Acta technol.agr., 2018; Vol.21,N 1. - P. 14-17
^ДАТ: 2018
^ПРМ: Bibliogr.:p.17
+Реферат:

^РЕФ: Проведен анализ электрической мощности фотоэлектрических модулей (ФМ) в зависимости от 2 важных факторов: частичное затенение и интенсивность отраженного излучения. Для определения зависимости мощности ФМ от перечисленных параметров была разработана в лабораторных условиях измерительная система. Для экспериментов был выбран монокристаллический модуль с КПД 12,6 и размером 537х665 мм, галогенная лампа мощностью 500 Вт, цифровой мультиметр Metex ME-31, который использовался как вольтметр и амперметр. Был использован также актиноскоп KIMO SL 100 (Франция) для определения солнечной радиации и штора для устранения прямого солнечного излучения. В качестве источников отраженного света были спользованы 7 различных поверхностей: кровельная краска, фасадная штукатурка (2 цветов), асфальтовая резина, камни, бетон. На основе лабораторных исследований сделаны выводы. Отраженное излучение не оказывает существенного влияния на мощность ФМ и составляет в среднем 1,29%. При имитации частичного затенения ФМ было выявлено снижение мощности на 86,15%. Феномен состоит в том, что фотоэлектрические элементы (ФЭ) соединены в ФМ, где каждый элемент должен производить один и тот же ток. Если ФЭ затенен, то он перестает производить ток, но становится электрическим токоприемником. Ток от незатененных ФЭ блокируется затененными ФЭ, что приводит к большим потерям мощности всего ФМ. В тоже время ФЭ перегревается и это может привести к повреждению ФМ или к его полному разрушению. Эта проблема может быть решена за счет подключения полупроводникового мостового диода, байпасных (шунтирующих) диодов в цепочку ФЭ. Желательно, чтобы ФЭ не были затенены деревьями, зданиями или др. объектами в течение дня. Если же такое невозможно, то необходимо оборудовать ФМ системой шунтирующих диодов. Ил. 7. Табл. 1. Библ. 11.

^TRN: 1764755
^ВИД: Статья из журнала
^ЯЗК: Английский
+Индексирование:

—


назад	Главная страница ЦНСХБ